T/CIET 1282-2025 反应烧结碳化硅 碳化硼陶瓷板技术要求
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- 标准类型：团体标准规范
- 标准语言：中文版
- 文件类型：PDF文档
- 更新时间：2025-06-22
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资料介绍
T/CIET 1282-2025《反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板技术要求》主要内容总结
1. 范围
本文件规定了反应烧结碳化硅（SiC）和碳化硼（B₄C）陶瓷板的技术要求、试验方法、检验规则及标志包装等，适用于防护、工业等领域使用的该类陶瓷板产品。
2. 规范性引用文件
引用多项国家标准和军用标准，包括：
- GB/T 191（包装储运图示标志）
- GB/T 6569（精细陶瓷弯曲强度试验方法）
- GB/T 16534（精细陶瓷室温硬度试验方法）
- GB/T 25995（密度和显气孔率试验方法）
- GJB 179A（抽样检验标准）
3. 术语与定义
- 反应烧结碳化硅：以α-SiC为基体，通过硅渗透反应生成β-SiC，形成高致密陶瓷。
- 反应烧结碳化硼：以B₄C粉体为基础，添加碳/碳化硅，与硅反应生成β-SiC，形成致密材料。
4. 技术要求
4.1 力学性能
| 材质 | 密度（g/cm³） | 维氏硬度（HV0.5） | 抗弯强度（MPa） |
|---|---|---|---|
| 反应烧结碳化硅 | ≥3.0 | ≥2200 | ≥300 |
| 反应烧结碳化硼 | ≥2.55 | ≥2800 | ≥300 |
4.2 扭曲变形量
- 两种陶瓷板的扭曲变形量均需≤5%。
4.3 尺寸及公差
- 通用公差：厚度≤±0.2mm，宽度≤±1.5mm，长度≤2mm。
- 碳化硼专用：对角偏差≤0.8mm，厚度偏差≤0.2mm。
- 人体防护陶瓷尺寸（分小号、大号，具体尺寸可定制）。
4.4 外观缺陷分类
- 主要缺陷（直接不合格）：分层、贯穿裂纹、缺角面积≥50mm²、斑点直径≥5mm。
- 次要缺陷（允许≤3个）：缺角面积<50mm²、边缘非贯穿裂纹<5mm、斑点直径<5mm。
5. 试验方法
- 密度：按GB/T 25995检测。
- 硬度：按GB/T 16534（维氏硬度）。
- 弯曲强度：按GB/T 6569（三点弯曲法）。
- 扭曲变形量：用基准板和铁块塞尺检测（如3mm铁块无法塞入即合格）。
- 外观：缺角/裂纹用0.05mm量具；斑点/分层用X光无损检测仪。
6. 检验规则
6.1 检验分类
- 出厂检验：每批必检外观、密度；硬度/强度按需抽检（如工艺变更或客户要求）。
- 型式检验：工艺重大变更、年度例行、停产复工等情况下进行。
6.2 抽样方案
- 按GJB 179A执行，采用一般检验水平II级，一次抽样：
- 主要缺陷 AQL=1.5（如裂纹、分层）。
- 次要缺陷 AQL=4.0（如小斑点）。
- 判定规则：任一项目不合格则整批暂停，整改后复检。
7. 标志、包装与贮存
- 标志：铭牌需含型号、出厂编号、日期。
- 包装：
- 符合GB/T 191，标注“易碎”“防潮”等标识。
- 单箱≤200kg，附合格证、说明书、装箱单。
- 运输：防震、防雨淋、轻拿轻放。
- 贮存：通风库房，避免腐蚀性环境，保质期1年（超期需重新检验）。
其他信息
- 归口单位：中国国际经济技术合作促进会。
- 起草单位：中国兵器工业集团第五二研究所、浙江立泰等。
- 首次发布：2025年5月14日实施。
注：文件可能涉及专利，但发布机构不承担专利识别责任。